研究报告

利用高密度 SNP 芯片精确定位长豇豆耐早衰性 QTLs  

苑希蕊1,2 , 吴晓花1 , 汪宝根1 , 吴新义1 , 鲁忠富1 , 李国景1 , 徐沛1*
1 浙江省农业科学院蔬菜所, 杭州, 310021; 2 西北农林科技大学园艺学院, 杨陵, 712100
作者    通讯作者
《分子植物育种》印刷版, 2018 年, 第 16卷, 第 25 篇   
收稿日期: 2017年11月03日    接受日期: 2017年12月03日    发表日期: 2018年07月18日
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摘 要
早衰性是长豇豆的一个重要不利农艺性状。由于嫩荚是长豇豆最主要的商品器官,植株早衰容易影响后期结荚数,导致豆荚产量下降,给种植者带来经济损失。本研究以长豇豆品系 ZN016 ZJ282 杂交构建的一个含 119 个株系的扩大重组自交系(F6:8 )群体为材料,利用由豇豆 60K 高密度 SNP 芯片构建的含 8 032 SNP 位点的高密度分子遗传图谱对长豇豆耐早衰性状进行 QTL 精确定位,最终将长豇豆耐早衰性状的主效QTL定位在 LG11 ~0.424 cM 的区间内。与早期对同一性状 QTL 定位结果相比证实了本实验室前期的粗定位结果,并且本次 QTL 定位精度明显提高,大幅度缩小了侧翼标记间的距离。本研究为今后针对耐早衰性这一农艺性状的分子标记辅助育种、基因克隆提供了基础。

 

关键词
豇豆;长豇豆;耐早衰性;QTL;SNP
《分子植物育种》印刷版
• 第 16 卷
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